2010年3月,IPS自主研发的知识产权制程专利TRENCH MOSFET AND METHOD OF MANUFACTURE UTILIZING FOUR MASKS 在美国申请成功。
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    650V/12A主要参数指标:BVdss:650V,Vth:2~4V,Id:12A,Rdso...
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    650V/7A主要参数指标:BVdss:650V,Vth:2~4V,Id:7A,Rdson:...

       InPower Semiconductor Co., Ltd. (IPS) 是一家专业功率半导体产品...
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